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三星已開始生產100層V-NAND閃存

中國經濟新聞網 2019-08-06 15:36:07

  三星電子剛剛宣布,其已開始生產業界首批100層V-NAND閃存,并計劃在企業級PCSSD上采用。這家韓國科技巨頭稱,基于256Gb3-bitV-NAND閃存的SSD,已開始向全球PC制造商供貨。鑒于100層V-NAND閃存單元只需經過單次蝕刻,新產品可兼顧速度、產量和能源效率,在市場上占據領先優勢。

  外媒ZDNet報道稱,三星已經向某個未透露名稱的客戶供應250GBSATAPCSSD。

  該公司將在今年下半年提升產能,并使用512Gb3-bitV-NAND閃存來生產SSD和eUFS產品,以滿足各種規格的新需求。

  三星表示,其100層或第6代V-NAND閃存的寫入延遲低至450μs、讀取響應時間為45μs。

  與90層V-NAND閃存相比,100層V-NAND閃存不僅性能提升10%,功耗還降低了15%。此外新工藝減少了生產步驟、縮減了芯片尺寸、并提升了20%的產量。

  展望未來,三星計劃在移動和汽車領域部署全新的V-NAND閃存,以鞏固其在閃存市場的領導地位。

  此前,這家韓國科技巨頭曾警告,在2季度財報發布前,該公司業績表現仍存在著持續的不確定性,其中就包括日韓之間貿易摩擦所帶來的緊張局勢。

  本周早些時候,日本將韓國從其貿易伙伴白名單中剔除,并于上月對用于半導體生產的關鍵材料實施貿易限制。

  盡管同在韓國的SK海力士,其領導層曾下令企業制定應急方案。但三星似乎并沒有那么慌張,而是決定繼續在今年下半年進一步投資生產。

  最后,鑒于內存業務利潤和需求的大幅下滑,預計該公司二季度運營利潤會較去年同期削減一半。

來源:環球網 編輯: 蔣帥       
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