三星電子剛剛宣布，其已開始生產業界首批100層V-NAND閃存，并計劃在企業級PCSSD上采用。這家韓國科技巨頭稱，基于256Gb3-bitV-NAND閃存的SSD，已開始向全球PC制造商供貨。鑒于100層V-NAND閃存單元只需經過單次蝕刻，新產品可兼顧速度、產量和能源效率，在市場上占據領先優勢。
外媒ZDNet報道稱，三星已經向某個未透露名稱的客戶供應250GBSATAPCSSD。
該公司將在今年下半年提升產能，并使用512Gb3-bitV-NAND閃存來生產SSD和eUFS產品，以滿足各種規格的新需求。
三星表示，其100層或第6代V-NAND閃存的寫入延遲低至450μs、讀取響應時間為45μs。
與90層V-NAND閃存相比，100層V-NAND閃存不僅性能提升10%，功耗還降低了15%。此外新工藝減少了生產步驟、縮減了芯片尺寸、并提升了20%的產量。
展望未來，三星計劃在移動和汽車領域部署全新的V-NAND閃存，以鞏固其在閃存市場的領導地位。
此前，這家韓國科技巨頭曾警告，在2季度財報發布前，該公司業績表現仍存在著持續的不確定性，其中就包括日韓之間貿易摩擦所帶來的緊張局勢。
本周早些時候，日本將韓國從其貿易伙伴白名單中剔除，并于上月對用于半導體生產的關鍵材料實施貿易限制。
盡管同在韓國的SK海力士，其領導層曾下令企業制定應急方案。但三星似乎并沒有那么慌張，而是決定繼續在今年下半年進一步投資生產。
最后，鑒于內存業務利潤和需求的大幅下滑，預計該公司二季度運營利潤會較去年同期削減一半。
